CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• 667MHz fCK para 1333Mb/seg/pin
• 8 bancos internos independientes
• Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6
• Latencia aditiva programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)
• Precarga de 8 bits
• Duración de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con dirección inicial “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no Permitir lectura o escritura fluida [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]
• Luz estroboscópica de datos diferencial bidireccional
• Calibración (auto) interna: Auto calibración interna a través de ZQ clavija (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• Terminación en matriz usando pin ODT
• Período de actualización promedio 7,8 us a menos de 85 °C de TCASE,
• Restablecimiento asíncrono
• PCB: Altura 1,18” (30 mm)
no ECC
CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• 667MHz fCK para 1333Mb/seg/pin
• 8 bancos internos independientes
• Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6
• Latencia aditiva programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)
• Precarga de 8 bits
• Duración de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con
dirección inicial “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no
Permitir lectura o escritura fluida [ya sea sobre la marcha usando A12 o
MRS]
• Luz estroboscópica de datos diferencial bidireccional
• Calibración (auto) interna: Autocalibración interna a través de ZQ
clavija (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• Terminación en matriz usando pin ODT
• Período de actualización promedio 7,8 us a menos de 85 °C de TCASE,
3,9us a 85°C < TCASE < 95°C
• Restablecimiento asíncrono
• PCB: Altura 1,18” (30 mm), componente de doble cara